Кластер плазменных технологий
В состав кластера входят:
Модуль плазменного травления (Модуль PE)
Модуль плазменного осаждения (Модуль PED)
Модуль плазменной очистки (Модуль PC)
Сверхвысоковакуумный модуль межоперационного складирования (Модуль SSRT)
Модуль загрузки для групповых технологий (Модуль FDL)
Сверхвысоковакуумный радиальный транспортный модуль (Модуль RDC)
Группа модулей плазменных технологий (Plasma Processing) включает в настоящее время модуль плазменного травления - модуль PE (Plasma Etching), модуль плазменного осаждения - модуль PED (Plasma Enhanced Deposition) и модуль плазменной очистки - модуль PC (Plasma Cleaning).
Плазменные модули являются полностью автоматизированными шлюзовыми установками поштучной обработки полупроводниковых пластин. Они снабжены генератором плазмы высокой плотности со своим ВЧ-генератором возбуждения плазмы (частотой 13.56 МГц) и специальным столом с подачей от независимого генератора ВЧ-смещения для вытягивания и ускорения ионов из плазмы.
Конструкция генератора плазмы и стола травления позволяют получать на обрабатываемых подложках потоки ионов 5-10 мА/см2 и более с регулируемой генератором смещения подложки энергией от 20 до 300 эВ и более. Для улучшения теплоотвода от подложки предусмотрен так называемый «гелиевый теплоотвод». Это подразумевает подачу гелия между подложкой и поверхностью стола, что позволяет поддерживать небольшой перепад температур между поверхностью электрода и подложки.
Плазменные модули реализуют следующие технологии:
Модуль PE
*Субмикронное скоростное травление диэлектриков (SiO2, Si3N4) со скоростями порядка 1 мкм/мин
*Травление металлов, в том чмсле и чисто ионное травление золота, меди и других металлов, не образующих летучих соединений, травление производится через резистивные и металлические маски (скорость травления по золоту более 0.2 мкм/мин)
*Травление монокристаллического кремния в различных типах процессов. Конструкция установок допускает применение «криогенного стола», скорость травления кремния ограничена только откачными средствами и может достигать 5 мкм/мин
*Травление арсенида и нитрида галлия в производстве пп лазеров и светодиодов, в том числе областей под омические контакты
*Травление полиимида с высокими скоростями, снятие резиста
Модуль PED
*Осаждение диэлектриков с хорошим качеством и равномерностью (SiO2, Si3N4), из моносилана с кислородом и азотом при «комнатных» температурах подложки;
Модуль PC
*Обработка в плазме водорода и в атомарном водороде.
Технические характеристики |
|
Предельный вакуум в рабочей камере (Па) |
2,5х10^-4 |
количество каналов рабочих газов |
до 8 |
расход рабочих газов, л/час |
0 - 3,6 |
частота напряжения смещения |
100 кГц или 13,56 МГц |
мощность подаваемая на столик (Вт) |
до 900 |
равномерность на Ø 100 мм при травлении SiO2 (%) |
менее 1 % |
Диапазон рабочих давлений (Па) |
5х10-2 - 5 |
Необходимые подключения |
|
| - холодная вода с температурой от +5 до 20оС , под давлением 3±1 атм | |
| - сжатого воздуха под давлением 5-6 атм. | |
| - рабочих газов марки ОСЧ под давлением 1-5 атм | |
| - выхлопа форвакуумных агрегатов к вытяжной вентиляции | |
Кластер плазменных технологий для осуществления операций очистки, травления и осаждения. В частности он обеспечивает:
- субмикронное скоростное травление диэлектриков (SiO2, Si3N4)
- травление металлов, в том чмсле и чисто ионное травление золота, меди и других металлов, не образующих летучих соединений
- травление монокристаллического кремния в различных типах процессов
- травление арсенида и нитрида галлия
- травление полиимида, снятие резист;
- осаждение диэлектриков с хорошим качеством и равномерностью (SiO2, Si3N4)
- обработку в плазме водорода и в атомарном водороде
Габаритные размеры кластера - 320х320 см.