Кластер Молекулярно-Лучевой Эпитаксии
В состав кластера входят:
Модуль молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs (Модуль MBE GaAs)
Модуль MBE GaAs предназначен для эпитаксиального роста классических соединений типа AIIIBV на подложках диаметром до 100 мм.Конструкция модуля позволяет использовать в качестве источников компонентов роста классические эффузионные ячейки, загружаемые твёрдыми материалами, а также газовый источник аммиака. Во время транспортировки в камеру и в процессе роста подложка в держателе располагается горизонтально ростовой поверхностью вниз, что резко уменьшает неконтролируемые загрязнения. Цилиндрическая сверхвысоковакуумная камера, обеспечивает современную "вертикальную" ростовую геометрию с горизонтальным расположением подложки.
Состав модуля MBE GaAs
Две криопанели увеличенной площади, обеспечивающие высокую скорость откачки летучих компонент As и минимизирующие вероятность попадания продуктов роста с криопанели в источники материалов
Трёхстепенной ростовой манипулятор с устройством крепления носителя подложки, обеспечивающий возможность корректировки геометрии роста за счёт значительного (80 мм) вертикального перемещения
Встроенный анализатор остаточной атмосферы квадрупольного типа
Фланец блока испарителей, позволяющий установить до 8 молекулярных источников различного типа на фланцы DN63CF симметрично относительно вертикальной оси камеры
Технические характеристики |
|
| Возможность вращения носителя подложки во время роста со скоростью | не менее 1об/сек |
| Количество и диаметр подложек | одна 100 мм |
| Максимальная температура нагрева подложки, | не менее 700 °С |
| Контроль температуры нагревателя подложки | W/Re термопарой с точностью ±0,5°С |
| Встроенный анализатор остаточной атмосферы | квадрупольного типа |
| Порты для лазерного интерферометра (эллипсометра, 2шт.) и пирометра | с заслонками |
| Система маршевой откачки (ионный насос) | 400-600 л/с |
| Предельный вакуум после прогрева (48 час, 200°С) | не хуже: 1х10-8 Па |
Модуль молекулярно-лучевой эпитаксии GaN (Модуль MBE GaN)
Модуль молекулярно-лучевой эпитаксии предназначен для эпитаксии полупроводниковых гетероструктур на основе нитридов III-ей группы и сконфигурирован для выращивания материалов системы InAlGaN/GaN с использованием аммиака в качестве источника активного азота.
Во время транспортировки из шлюза и в процессе роста подложка в держателе располагается горизонтально ростовой поверхностью вниз, что резко уменьшает неконтролируемые загрязнения. Криопанели увеличенной площади предназначены для эффективной откачки летучей компоненты V-й группы, их дизайн уменьшает вероятность попадания продуктов роста с криопанели в источники материалов. Маршевая система откачки на основе высокопроизводительного турбомолекулярного насоса коррозионно-стойкого исполнения позволяет значительно расширить технологические возможности роста гетероструктур в область повышенных потоков аммиака в сочетании с экстремально высокими (>1000°C) температурами подложки.
Отличительной чертой конструкции является возможность корректировки ростовой геометрии в заметных пределах за счёт значительного (76 мм) вертикального перемещения ростового манипулятора. Это позволяет совместить в одной камере два рабочих ростовых положения: исследовательское, в котором может проводиться рост без вращения держателя подложки, с активным использованием дифракции быстрых электронов и лазерной интерференции, и обеспечением приемлемой однородности эпитаксиальной плёнки; а также «производственное», при котором рост осуществляется с вращением и обеспечивается высокая однородность на больших диаметрах подложки.
Технические характеристики |
|
| Возможность вращения носителя подложки во время роста со скоростью | не менее 1об/сек |
| Максимальная температура нагрева подложки, | не менее 1100 °С |
| Контроль температуры нагревателя подложки | W/Re термопарой с точностью ±0,5°С |
| Встроенный анализатор остаточной атмосферы | квадрупольного типа |
| Порты для лазерного интерферометра (эллипсометра, 2шт.) и пирометра | с заслонками |
| Система маршевой откачки с турбомолекулярным насосом коррозионно-стойкого исполнения производительностью | 1400-2200 л/с |
| Предельный вакуум после прогрева (48 час, 200°С) | не хуже 1х10-8 Па |
Сверхвысоковакуумный модуль межоперационного складирования (Модуль SSRT)
Модуль загрузки для групповых технологий (Модуль FDL)
Сверхвысоковакуумный радиальный транспортный модуль (Модуль RDC)
Сверхвысоковакуумные модули МЛЭ в базовой комплектации включают три камеры: ростовую, шлюзования и подготовки. Цилиндрические ростовые камеры обеспечивают современную "вертикальную" ростовую геометрию с горизонтальным расположением подложки. Она содержит:
- Две криопанели увеличенной площади, обеспечивающие высокую скорость откачки аммиака или летучих компонент V-й группы (в основном As)
- Трёхстепенной ростовой манипулятор с устройством крепления носителя подложки, обеспечивающий возможность корректировки геометрии роста за счёт значительного (80 мм) вертикального перемещения
- Встроенную систему дифракции быстрых электронов на отражение в составе электронной пушки 20 кэВ и люминесцентного экрана
- Фланец блока испарителей, позволяющий установить до 8 молекулярных источников различного типа на фланцы DN63CF симметрично относительно вертикальной оси камеры